无锡维赛半导体有限公司 main business:许可经营项目：无 一般经营项目：半导体元器件的研发；半导体元器件的批发、佣金代理（拍卖除外）、进出口业务（以上商品进出口不涉及国营贸易管理商品，涉及配额、许可证管理商品的，按国家有关规定办理申请）。 and other products. Company respected "practical, hard work, responsibility" spirit of enterprise, and to integrity, win-win, creating business ideas, to create a good business environment, with a new management model, perfect technology, attentive service, excellent quality of basic survival, we always adhere to customer first intentions to serve customers, persist in using their services to impress clients.
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- 320200400034160
- 存续（在营、开业、在册）
- 有限责任公司(中外合资)
- 2010年04月22日
- 林华中
- 6000.000000
- 2010年04月22日 至 2030年04月21日
- 无锡市新吴区市场监督管理局
- 2012年06月07日
- 无锡新区长江路21-1号创源大厦1001室
- 许可经营范围:一般经营范围:半导体元器件的研发；半导体元器件的批发、佣金代理（拍卖除外）、进出口业务（以上商品进出口不涉及国营贸易管理商品，涉及配额、许可证管理商品的，按国家有关规定办理申请）。
| 序号 | 公布号 | 发明名称 | 公布日期 | 摘要 |
| 1 | TWI488307 | 功率电晶体结构及制作方法 | 2015.06.11 | |
| 2 | TWI488241 | 超结功率电晶体结构及制作方法 | 2015.06.11 | |
| 3 | CN102738229B | 功率晶体管结构及其制作方法 | 2015.01.28 | 本发明公开了一种功率晶体管结构及制作方法。该结构包括下电极、衬底、漂移区、两个第一导电类型区、两个第 |
| 4 | CN102684485B | 垂直互补场效应管 | 2015.01.21 | 垂直互补场效应管，涉及半导体芯片生产技术。更具体的说，涉及功率集成电路芯片生产技术。本发明的衬底层局 |
| 5 | CN102738232B | 超结功率晶体管结构及其制作方法 | 2014.10.22 | 本发明公开了一种超结功率晶体管结构及制作方法。该结构包括：下电极、衬底、有源区、侧壁隔离结构、栅区、 |
| 6 | CN103594490A | 晶闸管及晶闸管封装件 | 2014.02.19 | 本发明提供一种晶闸管及晶闸管封装件。本发明的PNPN型晶闸管包括：由P型、N型、P型及N型半导体层构 |
| 7 | CN103579231A | 半导体功率器件 | 2014.02.12 | 本发明提供一种半导体功率器件，通过巧妙地结合传统IGBT和VDMOS，形成具有共用部分的由基本的纵向 |
| 8 | CN103579230A | 半导体功率器件 | 2014.02.12 | 本发明提供一种半导体功率器件，通过巧妙地结合传统IGBT和VDMOS，形成具有共用部分的由基本的横向 |
| 9 | CN103579297A | 一种高压肖特基二极管 | 2014.02.12 | 本发明提供一种高压肖特基二极管，属于半导体领域，所述高压肖特基二极管包括依次层叠的阴电极、N型掺杂层 |
| 10 | CN103545354A | 一种功率晶体管 | 2014.01.29 | 本发明提供一种功率晶体管，包括漏区、漂移区、沟道区及源区的外延结构；形成于所述外延结构中的间隔排列的 |
| 11 | CN103513692A | 直流电流驱动电路 | 2014.01.15 | 本发明提供一种直流电流驱动电路。本发明的电路至少包括：供电单元、储能元件、多个受控开关、待驱动器件、 |
| 12 | CN103515242A | 一种功率晶体管及其制作方法 | 2014.01.15 | 本发明提供一种功率晶体管及其制作方法，先在漏区与漂移区上制作栅区结构、沟道区及源区，然后对所述外延层 |
| 13 | CN103377919A | 绝缘栅双极晶体管及其制作方法 | 2013.10.30 | 本发明提供一种绝缘栅双极晶体管及其制作方法，该晶体管至少包括：集电极、半导体衬底、漂移区、两个体区、 |
| 14 | CN103377920A | 绝缘栅双极晶体管及其制备方法 | 2013.10.30 | 本发明提供一种绝缘栅双极晶体管及其制备方法，该晶体管至少包括：集电极、半导体衬底、漂移区、两个体区、 |
| 15 | CN103325685A | 深沟槽功率半导体场效应晶体管及其制作方法 | 2013.09.25 | 本发明提供一种深沟槽功率半导体场效应晶体管及其制作方法，在漏区与漂移区上制作栅区结构及沟道区，然后对 |
| 16 | CN102738229A | 功率晶体管结构及其制作方法 | 2012.10.17 | 本发明公开了一种功率晶体管结构及制作方法。该结构包括下电极、衬底、漂移区、两个第一导电类型区、两个第 |
| 17 | CN102738232A | 超结功率晶体管结构及其制作方法 | 2012.10.17 | 本发明公开了一种超结功率晶体管结构及制作方法。该结构包括：下电极、衬底、有源区、侧壁隔离结构、栅区、 |
| 18 | CN102684485A | 垂直互补场效应管 | 2012.09.19 | 垂直互补场效应管，涉及半导体芯片生产技术。更具体的说，涉及功率集成电路芯片生产技术。本发明的衬底层局 |
| 19 | CN102263488A | 低开关损耗的桥式电路 | 2011.11.30 | 一种新型低开关损耗的桥式电路，涉及电子电路技术。本发明的可控单元包括反向并联的可控元件和导流二极管， |
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